据Digitimes报道，台积电（TSMC）日前宣布即将推出28纳米工艺，该工艺可支持高介电金属栅电极（High-K Metal Gate，HKMG）技术以及氮氧化硅（SiON）材质，因此可以满足不同客户在产品性能方面的需求。据悉，目前台积电的28纳米工艺还处于测试阶段，而第一批采用台积电28纳米工艺的产品将在2010年第一季度问世。
台积电透露，整个28纳米工艺系列有两个不同的具体技术，一是可支持HKMG的技术，二是可支持SiON材质的技术。基于SiON材质的28纳米工艺名为28LPT（低功耗高性能）。这种工艺可生产出整体功耗低、价格低廉的产品，它所带来的金属栅电极密度可翻倍，处理器速度可提高50%，但功耗会比台积电40纳米的40LP技术低30-35%。据悉，28LPT技术可支持蜂窝基带、应用处理器、无线连接和便携式消费电子产品，28LPT工艺的产品有望在2010年年初进入初步量产。
另一个28纳米工艺便是28HP（高性能），这是台积电第一个支持HKMG技术的处理工艺，它可以满足CPU、GPU、FPGA（现场可编程门阵列）等的高性能需求。在相同的密度下，28HP工艺可提供比现有40纳米工艺高30%的速度。据了解，采用28HP工艺的产品有望在2010年上半年问世。
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